TEST GROUP A–ACCELERATED ENVIRONMENT STRESS TESTS

序號

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項目

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條件或說明

1

A1

預處理

PC

僅在測試A2、A3、A4、A5和C8之前對表面安裝零件(SMD)進行測試

2

A2

高加速應力試驗

HAST

條件二選一
  條件一：TA=130℃，85%RH，96H
  條件二：TA=110℃，85%RH，264H。加反向偏置電壓=80%額定電壓，前后都要測試電氣參數(shù)

4

A3

無偏高加速應力試驗

UHAST

條件二選一
  條件一：TA=130℃，85%RH，96H
  條件二：TA=110℃，85%RH，264H，前后都要測試電氣參數(shù)    

6

A4

溫度循環(huán)

TC

溫度-55℃~最高額定Tj溫度，不超過150℃，1-3循環(huán)/小時，按組件等級選擇1CPH，1000個循環(huán)。前后都要測試電氣參數(shù)，依據(jù)2.4判定

9

A5

間隙工作壽命

IOL

TA=25℃,器件通電保證TJ變化量≥100℃(不超過最大額定值)，循環(huán)數(shù)循環(huán)數(shù)=60000/（通電分鐘+斷電分鐘）。前后都要測試電氣參數(shù)，依據(jù)2.4判定

TEST GROUP B–ACCELERATED LIFETIME SIMULATION   TESTS

序號

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項目

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條件或說明

11

B1

高溫反向偏壓

HTRB

在用戶規(guī)格中最大直流反向額定電壓，通過溫箱調(diào)整結溫防止失效，保持1000小時，前后都要測試電氣參數(shù)

14

B2

高溫柵偏壓

HTGB

柵級偏置器件關閉時最大電壓100%，在指定結溫下（推薦結溫125℃）1000小時，前后都要測試電氣參數(shù)，做5個件的Decap，線拉力。

TEST GROUP C–PACKAGE ASSEMBLY INTEGRITY TESTS

序號

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項目

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條件或說明

15

C1

破壞性物理分析

DPA

開封過程確保不會導致引線和鍵的退化

16

C2

物理尺寸

PD

依據(jù)產(chǎn)品規(guī)格書測量封裝物理尺寸

17

C3

邦定線抗拉強度

WBP

條件C和條件D，金線直徑>1mil在TC后最小拉力為3克，金線直徑<1mil，請參閱
MIL-STD-750-2方法2037作為指南
最小拉力強度。金線直徑<1mil，施力點靠近焊點，而不是在線中間。

18

C4

邦定線剪切強度

WBS

銅線剪切參考JESD22-B116

19

C5

芯片剪切力

DS

評估制程變更的穩(wěn)健性，依據(jù)表3的指導進行C5測試

22

C8

耐焊接熱

RSH

SMD部件應全部在測試期間被浸沒，根據(jù)MSL進行預處理等級，前后都要測試電氣參數(shù)

23

C9

熱阻

TR

測量TR以確保符合規(guī)范

24

C10

可焊性

SD

放大50X，參考表2B焊接條件，SMD采用方法B和D

25

C11

晶須生長評價

WG

可商定，溫度沖擊-40~+85℃，1小時2循環(huán)，1500循環(huán)，試驗后采用SEM進行錫須觀察

TEST GROUP D – DIE FABRICATION RELIABILITY   TESTS

序號

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項目

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條件或說明

30

D1

介質(zhì)完整性

DI

以1V為增量增加電壓同時監(jiān)控柵極電流，
介電強度定義為柵前的柵電壓讀數(shù)，
電流增加了一個數(shù)量級，記錄并報告每個DUT的電壓和電流，評估制程變更的穩(wěn)健性，依據(jù)表3的指導進行D1測試

TEST GROUP E – ELECTRICAL VERIFICATION TESTS

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條件或說明

31

E0

外觀檢查

EV

所有的樣品都要檢查

32

E1

應力測試前后電性能測試

TEST

在室溫下進行

33

E2

參數(shù)驗證

PV

額定溫度驗證參數(shù)

34

E3

ESD HBM

ESDH

前后都要測試電氣參數(shù)

35

E4

ESD CDM

ESDC

前后都要測試電氣參數(shù)